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什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?

 

NAND闪存是一种2113非易失性存储技术,即断电后仍能保5261存数据4102。它的发展目标就是降低每比特存储成1653本、提高存储容量。

NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。

区别

1、闪存芯片读写的基本单位不同

应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。

应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块。

2、应用不同

NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放大的数据。

3、速度不同

NAND闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因,不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空,只能对一个固定大小的区域进行清零操作;而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。